德國英飛凌科技股份公司近日推出一種創(chuàng)新型封裝技術(shù)，將為純電動汽車和混合動力汽車等要求苛刻的汽車電子應(yīng)用帶來更大的電流承受能力和更高效率。

據(jù)介紹,新推出的TO封裝符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)H-PSOF（散熱型塑料小外形扁平引線）?？蓭椭囅到y(tǒng)設(shè)計人員達到更高的強制性的汽車燃油效率標(biāo)準(zhǔn)，同時滿足苛刻的總體排放要求。為達到這些標(biāo)準(zhǔn)，需要采用電流承受能力超過200安、導(dǎo)通電阻低于1毫歐的功率MOSFET，以降低傳輸損耗并提高總體效率。迄今為止，汽車市場尚未推出滿足這些需求的MOSFET。

此外，相比通常用于同類汽車應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)D2PAK封裝（TO-263）而言，H-PSOF封裝的尺寸更小，高度更低。H-PSOF封裝的面積比目前的D2PAK小20%左右，高度幾乎是D2PAK的一半。

據(jù)悉,英飛公司首批推出的采用H-PSOF封裝技術(shù)的產(chǎn)品是40VOptiMOST2功率晶體管，它們的漏極電流高達300安，導(dǎo)通電阻低至0.76毫歐。